第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用，提高充电效率与可靠性。

、传统直流充电桩挑战

，经过PFC维也纳 AC/DC电路，得到直流母线电压，再全桥LLC DC/DC电路输出高压给新能源汽车充电。这种电路结构存在效率低、失效率高的问题。 随着电动汽车的普及，充电桩需求日益增长。然而，传统直流你猜怎么着充电桩在效率与可靠性方面存在一定的局限性。传统的充电桩拓扑电路，通常采用三相交流380V输入电压。

二、SiC MOSFET技术革新

• 降低功率器件数量，简化控制电路复杂性
• 提高开关频率，降低电感感量，尺寸成本
• 提升充电效率与这种情况就像可靠性

三、应用案例与效果分析

技术的不断进步，我们有理由相信，未来充电桩将更加高效、可靠，为电动汽车的普及提供有力。 第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中应用，为充电桩行业带来了技术创新与效率提升。随着。

第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用，提高充电效率与可靠性。

随着电动汽车普及，充电桩作为关键基础设施，其性能提升变得尤为重要。传统充电桩在效率与可靠性方面存在局限，而SiC MOSFET技术引入，为这一领域带来了突破性的变革。

深圳爱仕特科技有限公司专注于第三代半导体SiC MOS芯片设计，其产品在充电桩领域应用表现卓越。以下为该公司在SiC MOSFET技术上具体应用案例：

采用SiC MOSFET技术的充电机，充电效率比传统充电机提高2-3%，正反向充电效率均达到95%举个例子。另外，其双向车载充电器和移动式智能充电机，专为200V-750V动力锂电池设计，适用于野外特种车充电、车载充电和储能充电，具有高功率密度、长寿命、适应恶劣环境等特点。

SiC MOSFET凭借其高频、高压、高温性能，成为电力电子领域备受关注的宽禁带功率半导体器件。在直流充电桩电源模块中的应用，具体优势如下：

• 降低功率器件数量，简化控制电路复杂性
• 提高开关频率，降低电感感量，减小尺寸和成本
• 提升充电效率，降低能量损耗
• 提高系统可靠性，延长设备使用寿命